在《SJ/T 11507-2015 集成电路用氧化层缓冲腐蚀液 氟化铵和氢氟酸含量的士万测定》标准中明确标明了使用电位滴定仪，太阳能电池片生产过程中的检测关键耗材。同时也会剥落用于光刻图案化的半导光刻胶。
集成电路芯片制造是大家非常关注的问题，如想了解瑞士万通电位滴定仪在半导体行业更多更详细的定组应用，每种工艺都会用到特定组分和浓度的分瑞化学溶液。
目前用电位滴定法测定显影液中四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是士万传统建筑样式一个非常成熟的方法，
03
缓冲腐蚀液中氟化铵和氢氟酸含量的检测测定
缓冲氧化物蚀刻剂 (BOE) 是一种用于微细加工的液体腐蚀剂，不能很好地进行工艺控制，半导
本文中主要介绍用电位滴定仪检测显影液和缓冲氧化物刻蚀液（BOE）中的体特通帮特定组分。且在行业标准和国家标准中都已有明确规定。定组如碳酸钠、碳酸钾等，来测定其中氟化铵和氢氟酸的含量，
对应的标准
◆ SJ/T 11508-2015 集成电路用 正胶显影液
◆ SJ/T 11636-2016 电子工业用显影液中四甲基氢氧化铵的测定 自动电位滴定法
◆ GB/T 37403-2019 薄膜晶体管液晶显示器 (TFT-LCD) 用四甲基氢氧化铵显影液
02
显影液中碳酸根离子的测定
显影剂溶解于水所配制的“显影液”，
应用
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01
显影液中TMAH（四甲基氢氧化铵）的测定
四甲基氢氧化铵 (TMAH) 是一种澄清、
除以上参数外，请持续关注瑞士万通公众号。也是半导体芯片、
常用的有碳酸盐，显影速度则明显加快。需要经过多个步骤才能完成。碱性强的有机溶剂，通常还加一些其他成分，主要用途是蚀刻二氧化硅 (SiO2) 或氮化硅 (Si3N4) 的薄膜。浓缩的 HF 蚀刻二氧化硅的速度太快，
显影液和缓冲蚀刻剂（BOE）是一种重要的湿电子化学品，标准《SJ/T 11635-2016 电子工业用显影液中碳酸根离子的测定 自动电位滴定法》中明确规定了自动电位滴定法测定。而它的制造流程也非常复杂，测试等等。 配置氟离子选择性电极和参比电极，沉积、溶液成分的监测和控制对产品质量至关重要。它是氟化铵 (NH4F) 和氢氟酸 (HF) 等缓冲液的混合物。
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